大家好,小金来为大家解答以上的问题。高速光耦原理，高速光耦这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、(先进光半导体）国产光耦替代-先进光半导体高速光耦与普通光耦结构是不一样在结构上，高速光耦与普通光耦是不一样，高速光耦的结构是光敏二极管+放大驱动电路，普通光耦的结构是光敏三极管（+放大驱动电路）。

2、光敏二极管的响应速度（上升下降时间）是纳秒级，光敏三极管的响应速度（上升下降时间）是微秒级。

3、不是说普通光耦工作在线性区它就能高速，它固有的响应时间就限死了它想快也快不起来。

4、另外如果普通光耦工作在线性区，那它也会受限截至频率Fc（Cut-off Frequency）这个参数，普通光耦这个Fc基本在50KHz左右（测试条件VCC=5v、IC=5ma、RL=100R，RL加大Fc更小，RL=1K时，Fc大约在10KHz左右），像TLP521，Fc约50KHz,PC817,Fc约80KHz,CNY117,Fc约250KHz。

5、当然有些普通光耦在调大驱动电流（到200MA）/减小负载电阻（到500OHM）/优化驱动脉冲等情况下的确实能达到500KHz这样的速度（部分光耦厂家的应用笔记有提到类似这种应用）6N135和TLP521来比，确实是不正确的如果只使用6N135的接收二极管，使用Ib串电阻（较大）输出，对TpLH的影响较大，确实不公平,也没人傻到如此运用。

6、TLP521正因为是使用光敏三极管，有电流传输比的存在，才使得外部放大整形电路的巧妙设计得到运用。

7、没有为RS-485光隔问题优化的电路时间所限，没有为RS485优化，也没有优化成一个顺眼的图纸。

8、只是从以前搞过的电路中挖出来，给朋友们参考一下要保证光耦处于线性状态不容易，光耦的电流传输比变化太大，例如521，电流传输比在0.5~6之间，这样在相同IF下，输出电压变化范围有0.5~6倍的范围，给后级工作点定义带来极大困难，基本上不可能。

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